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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA144EE-TP
DTA144EE-TP PDF预览

DTA144EE-TP

更新时间： 2024-01-15 22:44:57
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
PNP Digital Transistors

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DTA144EE-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.58
其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.46最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DTA144EE-TP 数据手册

 浏览型号DTA144EE-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA144EE-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTA144EE  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors  
PNP  
Digital Transistors  
•
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
•
SOT-523  
Absolute maximum ratings @ 25R  
A
Symbol  
VCC  
Parameter  
Supply voltage  
Min  
---  
-40  
Typ  
-50  
---  
Max  
---  
10  
Unit  
V
V
D
VIN  
Input voltage  
IO  
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
-30  
-100  
150  
150  
---  
Output current  
---  
---  
mA  
3
1. IN  
2. GND  
3. OUT  
C
B
1
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
---  
---  
---  
---  
mW  
?
2
Tstg  
-55  
150  
?
E
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Electrical Characteristics @ 25R  
H
G
J
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Min  
---  
-3.0  
---  
---  
---  
68  
32.9  
0.8  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
47  
1.0  
Max  
-0.5  
---  
-0.3  
-0.18  
-0.5  
---  
Unit  
V
V
K
Input voltage (VCC=-5V, IO=-100IA)  
(VO=-0.3V, IO=-2mA)  
DIMENSIONS  
Output voltage (IO/II=-10mA/-0.5mA  
Input current (VI=-5V)  
V
INCHES  
MAX  
MM  
mA  
IA  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
Output current (VCC=-50V, VI=0)  
DC current gain (VO=-5V, IO=-5mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
.059  
.030  
.057  
.067  
.033  
.069  
61.1  
1.2  
K=  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.000  
.70  
.100  
.25  
R2/R1  
.035  
.000  
.028  
.004  
.010  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.100  
0.80  
.200  
.35  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
(VCE=-10V, IE=5mA, f=100MHz)  
*Marking: 16  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2009/02/11  
123

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DTA144EE-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTA114YM3T5G ONSEMI

功能相似

 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resis

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