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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA114YM3T5G
DTA114YM3T5G PDF预览

DTA114YM3T5G

更新时间： 2024-11-02 03:02:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 124K
描述
Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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DTA114YM3T5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.51
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTA114YM3T5G 数据手册

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DTA114EM3T5G Series  
Preferred Devices  
Digital Transistors (BRT)  
PNP Silicon Surface Mount Transistors  
with Monolithic Bias Resistor Network  
This new series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The digital transistor  
contains a single transistor with a monolithic bias network consisting  
of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The  
digital transistor eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. The use of a digital transistor can  
reduce both system cost and board space. The device is housed in the  
SOT−723 package which is designed for low power surface mount  
applications.  
http://onsemi.com  
PNP SILICON  
DIGITAL  
TRANSISTORS  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• The SOT−723 Package can be Soldered using Wave or Reflow.  
• Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel  
• These are Pb−Free Devices  
PIN 3  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
PIN 1  
BASE  
(INPUT)  
R1  
R2  
PIN 2  
EMITTER  
(GROUND)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
MARKING  
DIAGRAM  
V
CBO  
CEO  
V
50  
Vdc  
3
I
C
100  
mAdc  
XX M  
SOT−723  
CASE 631AA  
Style 1  
2
1
xx = Specific Device Code  
(See Marking Table on page 2)  
M
= Date Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
February, 2004 − Rev. 0  
DTA114EM3/D  
1234567...12

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DTA114YM3T5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTA114TM3T5G ONSEMI

类似代替

 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resis
DTA114EM3T5G ONSEMI

类似代替

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