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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA143ZE
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DTA143ZE

更新时间： 2024-01-02 04:38:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 146K
描述
Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k

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DTA143ZE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DTA143ZE 数据手册

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MUN2133, MMUN2133L,  
MUN5133, DTA143ZE,  
DTA143ZM3, NSBA143ZF3  
Digital Transistors (BRT)  
R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW  
http://onsemi.com  
PIN CONNECTIONS  
PNP Transistors with Monolithic Bias  
Resistor Network  
PIN 3  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
This series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The Bias Resistor  
Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias  
network consisting of two resistors; a series base resistor and a  
base−emitter resistor. The BRT eliminates these individual  
components by integrating them into a single device. The use of a BRT  
can reduce both system cost and board space.  
PIN 1  
BASE  
(INPUT)  
R1  
R2  
PIN 2  
EMITTER  
(GROUND)  
Features  
MARKING DIAGRAMS  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
SC−59  
CASE 318D  
STYLE 1  
XX MG  
G
1
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
XXX MG  
G
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
SC−70/SOT−323  
CASE 419  
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Collector Current − Continuous  
Input Forward Voltage  
Symbol  
Max  
50  
Unit  
Vdc  
XX MG  
G
STYLE 3  
V
V
CBO  
CEO  
1
50  
Vdc  
SC−75  
CASE 463  
STYLE 1  
I
C
100  
30  
mAdc  
Vdc  
XX M  
XX M  
V
IN(fwd)  
1
Input Reverse Voltage  
V
5
Vdc  
IN(rev)  
SOT−723  
CASE 631AA  
STYLE 1  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1
SOT−1123  
CASE 524AA  
STYLE 1  
X M  
1
XXX  
= Specific Device Code  
M
G
=
=
Date Code*  
Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking, and shipping information in  
the package dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
September, 2012 − Rev. 1  
DTA143Z/D  
1234567...12

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DTA143ZE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PDTA143ZE,115 NXP

功能相似

 PDTA143Z series - PNP resistor-equipped trans
DTA143Z ONSEMI

功能相似

 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
PDTA143ZE NXP

功能相似

 PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW

与DTA143ZE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA143ZE_09 ROHM

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 		-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTA143ZE_11 MCC

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 		PNP Digital Transistors
DTA143ZE3 ROHM

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 		DTA143ZE3 is a digital transistor suitable for inverter, interface and driver applications
DTA143ZE3 (新产品) ROHM

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 		DTA143ZE3 is a digital transistor suitable for inverter, interface and driver applications
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 		DTA143ZE3HZG是一款车规级高可靠性数字晶体管。
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 		PNP Small Signal Transistor

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