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DTA143ZE3 (新产品)

更新时间： 2024-01-03 22:23:17

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罗姆 - ROHM		小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
DTA143ZE3 is a digital transistor suitable for inverter, interface and driver applications.

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DTA143ZE3 (新产品) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DTA143ZE3 (新产品) 数据手册

DTA143ZEB

Transistors

-100mA / -50V Digital transistors

(with built-in resistors)

DTA143ZEB

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

Inverter, Interface, Driver

EMT3F

1.6

0.7

zFeatures

0.26

(3)

1) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors

with complete isolation to allow negative biasing

of the input. They also have the advantage of

almost completely eliminating parasitic effects.

3) Only the on/off conditions need to be set for

operation, making the device design easy.

(1)

0.5 0.5

1.0

(2)

0.13

(1) IN

(2) GND

(3) OUT

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : E13

zStructure

zEquivalent circuit

PNP silicon epitaxial planar transistor type

(Resistor built-in)

OUT

zPackaging specifications

GND(+)

Package

EMT3F

Taping

Packaging type

Code

OUT

Part No.

Basic ordering unit (pieces)

3000

GND(+)

DTA143ZEB

=4.7kΩ, R =47kΩ

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Supply voltage

Input voltage

−50

−30 to +5

Collector current

Ic(max) ^∗1

−100

°C

Output current

∗2

Power dissipation

Junction temperature

Range of storage temperature

150

Tstg

150

−55 to +150

°C

∗1 Characteristics of built-in transistor

∗2 Each terminal mounted on a recomended land

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