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DTA143ZE-TP-HF

更新时间： 2024-02-13 04:58:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 198K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTA143ZE-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10最大集电极电流 (IC)：0.1 A
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DTA143ZE-TP-HF 数据手册

 浏览型号DTA143ZE-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA143ZE-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTA143ZE  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
PNP  
·
·
Digital Transistors  
•
without connecting external input resistors  
•
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
SOT-523  
•
A
device design easy  
D
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Absolute maximum ratings @ 25R  
Symbol  
VCC  
VIN  
Parameter  
Supply voltage  
Min  
---  
-30  
Typ  
-50  
---  
Max  
---  
5.0  
Unit  
V
V
3
1. IN  
2. GND  
3. OUT  
C
B
1
2
Input voltage  
IO  
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
-100  
-100  
150  
150  
---  
Output current  
---  
---  
mA  
E
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
---  
---  
---  
---  
mW  
?
Tstg  
-55  
150  
?
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25R  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Min  
---  
-1.3  
---  
---  
---  
80  
3.29  
8.0  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
4.7  
10  
Max  
-0.5  
---  
-0.3  
-1.8  
-0.5  
---  
Unit  
V
V
K
Input voltage (VCC=-5V, IO=-100IA)  
(VO=-0.3V, IO=-5mA)  
DIMENSIONS  
Output voltage (IO/II=-5mA/-0.25mA  
Input current (VI=-5V)  
V
INCHES  
MAX  
MM  
mA  
IA  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
Output current (VCC=-50V, VI=0)  
DC current gain (VO=-5V, IO=-10mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
.059  
.030  
.057  
.067  
.033  
.069  
6.11  
12  
K=  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.000  
.70  
.100  
.25  
R2/R1  
.035  
.000  
.028  
.004  
.010  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.100  
0.80  
.200  
.35  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
(VCE=-10V, IE=5mA, f=100MHz)  
*Marking: E13  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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与DTA143ZE-TP-HF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DTA143ZETR ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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DTA143ZF ETC TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71

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DTA143ZFA ETC TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71

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DTA143ZFAC1 ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTR, 3

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