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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA114EUA
DTA114EUA PDF预览

DTA114EUA

更新时间： 2024-01-12 15:08:34
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
PNP Digital Transistors

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DTA114EUA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTA114EUA 数据手册

 浏览型号DTA114EUA的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTA114EUA  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors  
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
PNP  
Digital Transistors  
•
SOT-323  
A
D
Absolute maximum ratings @ 25R  
3
Symbol  
VCC  
VIN  
IO  
IC(MAX)  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Min  
---  
-40  
Typ  
-50  
---  
-50  
-100  
200  
Max  
---  
10  
Unit  
V
V
1: IN  
2: GND  
3: OUT  
C
B
1
2
Output current  
---  
---  
mA  
F
E
Pd  
Tj  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
---  
---  
---  
---  
mW  
?
150  
---  
Tstg  
-55  
150  
?
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25R  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Min  
---  
-3.0  
---  
---  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
1.0  
Max  
-0.5  
---  
-0.3  
-0.88  
-0.5  
---  
Unit  
V
V
K
Input voltage (VCC=-5V, IO=-100IA)  
DIMENSIONS  
(VO=-0.3V, IO=-10mA)  
Output voltage (IO/II=-10mA/-0.5mA  
Input current (VI=-5V)  
V
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
mA  
IA  
K=  
.087  
.053  
.087  
Output current (VCC=-50V, VI=0)  
DC current gain (VO=-5V, IO=-5mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
---  
30  
7.0  
0.8  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
13  
1.2  
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
R2/R1  
F
G
H
J
fT  
---  
250  
---  
MHz  
(VCE=-10V, IE=5mA, f=100MHz)  
K
MARKING: 14  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
0.90  
1.90  
0.65  
0.65  
www.mccsemi .com  
1 of 2  
Revision: 2  
2008/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA114-EUA TSC

获取价格

 		PNP Digital Transistor
DTA114EUA_11 MCC

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 		PNP Digital Transistors
DTA114EUAHE3 MCC

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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn;
DTA114EUAP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-323, 3 PIN
DTA114EUAQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-323
DTA114EUAT106 ROHM

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 		DTA114E series
DTA114EUA-T106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-70,
DTA114EUAT107 ROHM

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DTA114EUA-TP MCC

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