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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA114EUAT106
DTA114EUAT106 PDF预览

DTA114EUAT106

更新时间： 2024-11-18 12:27:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
11页 275K
描述
DTA114E series

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DTA114EUAT106 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：6.92
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：892982Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：EMT3FSamacsys Released Date：2017-12-05 12:37:11
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

DTA114EUAT106 数据手册

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DTA114E series  
Datasheet  
PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)  
Outline  
VMT3  
EMT3F  
UMT3F  
SMT3  
Parameter  
VCC  
Value  
50V  
100mA  
10k  
OUT  
OUT  
IN  
GN  
IN  
IC(MAX.)  
R1  
GN  
DTA114EM  
(SC-105AA)  
DTA114EEB  
(SC-89)  
R2  
10k  
EMT3  
OUT  
OUT  
Features  
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k.  
IN  
IN  
GND  
GN  
2) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external  
input resistors (see equivalent circuit).  
DTA114EUB  
(SC-85)  
DTA114EE  
SOT-416 (SC-75A)  
UMT3  
3) The bias resistors consist of thin-film resistors  
with complete isolation to allow negative biasing  
of the input. They also have the advantage of  
completely eliminating parasitic effects.  
OUT  
OUT  
IN  
IN  
GND  
GND  
4) Only the on/off conditions need to be set for  
operation, making the circuit design easy.  
DTA114EKA  
SOT-346 (SC-59)  
DTA114EUA  
SOT-323 (SC-70)  
5) Complementary NPN Types Available.(DTC114E series)  
6) Complex transistors :EMB11/ UMB11N/ IMB11A/  
UMA9N/ FMA9A （PNP type）  
Inner circuit  
OUT  
R1  
IN  
7) Lead Free/RoHS Compliant.  
R2  
Application  
GND(+)  
Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit,  
Driver circuit  
OUT  
IN  
GND(+)  
Packaging specifications  
Package  
Taping  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
size  
Marking  
code  
(mm)  
(mm)  
(mm)  
DTA114EM  
VMT3  
EMT3F  
EMT3  
1212  
1616  
1616  
2021  
2021  
2928  
T2L  
TL  
180  
180  
180  
180  
180  
180  
8
8
8
8
8
8
8,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
14  
14  
14  
14  
14  
14  
DTA114EEB  
DTA114EE  
TL  
DTA114EUB  
DTA114EUA  
DTA114EKA  
UMT3F  
UMT3  
SMT3  
TL  
T106  
T146  
www.rohm.com  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2012.02 - Rev.E  
1/10  
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DTA114EUAT106 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTA114EKAT146 ROHM

完全替代

 DTA114E series

与DTA114EUAT106相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA114EUA-T106 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-70,
DTA114EUAT107 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
DTA114EUA-TP MCC

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 		PNP Digital Transistors
DTA114EUA-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
DTA114EUB ROHM

获取价格

 		-100mA / -50V Digital transistors
DTA114EUBTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
DTA114EUS3 ETC

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 		Mini size of Discrete semiconductor elements
DTA114EUT106 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTA114EV ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTA114EVA ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP

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