DTA114EEB

更新时间： 2024-01-05 20:02:16

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罗姆 - ROHM		晶体电阻器数字晶体管
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3页	85K
描述
100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)

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DTA114EEB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	68
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTA114EEB 数据手册

DTA114EEB

Transistors

100mA / 50V Digital transistors

(with built-in resistors)

DTA114EEB

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

Inverter, Interface, Driver

EMT3F

1.6

0.7

zFeatures

0.26

(3)

1) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors

with complete isolation to allow negative biasing

of the input. They also have the advantage of

almost completely eliminating parasitic effects.

3) Only the on/off conditions need to be set for

operation, making the device design easy.

(1)

0.5 0.5

1.0

(2)

0.13

(1) IN

(2) GND

(3) OUT

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : 14

zStructure

zEquivalent circuit

PNP silicon epitaxial planar transistor type

(Resistor built-in)

OUT

zPackaging specifications

GND(+)

Package

EMT3F

Taping

Packaging type

Code

OUT

Part No.

Basic ordering unit (pieces)

3000

GND(+)

DTA114EEB

=10kΩ

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Supply voltage

Input voltage

−50

−40 to +10

Collector current

Output current

Ic(max) ^∗1

−100

−50

°C

∗2

Power dissipation

Junction temperature

150

Tstg

150

Storage temperature

−55 to +150

°C

∗1 Characteristics of built-in transistor

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

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