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DSEC60-03AQ PDF预览

DSEC60-03AQ

更新时间： 2024-11-23 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 88K
描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery

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DSEC60-03AQ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-3P包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.03 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEC60-03AQ 数据手册

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DSEC 60-03AQ  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with common cathode and soft recovery  
IFAV = 2x30 A  
VRRM = 300 V  
trr  
= 30 ns  
A
C
A
TO-3 P  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C (TAB)  
A
300  
300  
DSEC 60-03AQ  
C
A
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• International standard package  
• Planar passivated chips  
• Very short recovery time  
• Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
IFRMS  
IFAVM  
70  
30  
A
A
TC = 145°C; rectangular, d = 0.5  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
300  
1.2  
A
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 3 A; L = 180 µH  
mJ  
• Soft recovery behaviour  
• Epoxy meets UL 94V-0  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.3  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Ptot  
TC = 25°C  
165  
W
• Antisaturation diode  
• Snubber diode  
Md  
FC  
mounting torque  
mounting force with clip  
0.8...1.2  
20...120  
Nm  
N
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Weight  
typical  
6
g
• Inductive heating  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
IR  
①
②
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
250  
1
µA  
Advantages  
mA  
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
• Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-onlossinthecommutatingswitch  
VF  
IF = 30 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
0.91  
1.25  
V
V
RthJC  
RthCH  
0.9  
K/W  
K/W  
0.25  
30  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
IRM  
VR = 100 V; IF = 50 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
7
A
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, Conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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与DSEC60-03AQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEC60-03AR IXYS

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 		HiPer FREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
DSEC60-04A IXYS

获取价格

 		HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
DSEC60-04AC LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
DSEC60-06A IXYS

获取价格

 		HiPerFREDTM Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
DSEC60-06A LITTELFUSE

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DSEE15-04CC THINKISEMI

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 		15.0 Ampere Insulated Dual Tandem Structure In Series Ultra Fast Recovery Rectifiers

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