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DSEE29-12CC

更新时间： 2024-11-26 12:54:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管快恢复二极管软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Phase leg

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DSEE29-12CC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.27其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.27 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEE29-12CC 数据手册

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DSEE29-12CC  
VRRM  
IFAV  
trr  
=
=
=
600 V  
HiPerFRED  
A
30  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Phase leg  
35 ns  
Part number  
1
2
3
DSEE29-12CC  
Backside: isolated  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable operation  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
● Housing: ISOPLUS220  
●rIndustry standard outline  
●rDCB isolated backside  
●rIsolation Voltage 3000 V  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
600  
V
µA  
mA  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
VR = 600V  
VR = 600V  
TVJ  
500  
1
TVJ = 150°C  
TVJ 25°C  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
30A  
60A  
30A  
60A  
=
1.62  
1.95  
1.27  
1.58  
30  
V
T
VJ = 150°C  
V
V
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 130°C  
TVJ = 175°C  
A
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
1.00  
V
for power loss calculation only  
slope resistance  
10 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
0.90 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
175  
165  
200  
°C  
W
A
TC  
=
=
25°C  
45°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
17  
29  
35  
90  
26  
A
TVJ = 25°C  
TVJ = 100°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 100°C  
A
IF = 30 A; VR = 300V  
-diF/dt = 600 A/µs  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
ns  
ns  
pF  
CJ  
VR = 400 V; f = 1 MHz  
TVJ = 25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20110215a  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2011 IXYS all rights reserved  
©
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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