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DS2013

更新时间: 2024-11-24 17:33:07
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 先进先出芯片光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 376K
描述
FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28,

DS2013 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73最长访问时间:120 ns
其他特性:RETRANSMIT周期时间:140 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T28内存密度:73728 bit
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX9可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DS2013 数据手册

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FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28