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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.300 INCH, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.24 | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK)： | 15.38 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 34.795 mm | 内存密度： | 73728 bit |
| 内存集成电路类型： | OTHER FIFO | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX9 |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | FIFOs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS2013DN-65 | MAXIM |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| DS2013DN-80 | MAXIM |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, |
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| DS2013N | DALLAS |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, |
|
| DS2013N-50 | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| DS2013N-65 | MAXIM |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| DS2013N-80 | MAXIM |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| DS2015 | MAXIM |
获取价格 |
Standard SRAM, 32X8, CMOS, PDIP18, |
|
| DS2015S | MAXIM |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 64X4, CMOS, PDSO20, |
|
| DS2016 | DALLAS |
获取价格 |
2k x 8 3V/5V Operation Static RAM |
|
| DS2016-100 | DALLAS |
获取价格 |
2k x 8 3V/5V Operation Static RAM |
|
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