是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.88 |
最大时钟频率 (fCLK): | 4 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 | JESD-609代码: | e0 |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端口数量: | 4, (3 LINE) | 端子数量: | 18 |
字数: | 32 words | 字数代码: | 32 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32X8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.006 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.006 mA | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS2015S | MAXIM |
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Multi-Port SRAM, 64X4, CMOS, PDSO20, | |
DS2016 | DALLAS |
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2k x 8 3V/5V Operation Static RAM | |
DS2016-100 | DALLAS |
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2k x 8 3V/5V Operation Static RAM | |
DS2016-100 | MAXIM |
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Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, DIP-24 | |
DS2016-150 | DALLAS |
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2k x 8 3V/5V Operation Static RAM | |
DS2016-150 | MAXIM |
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Standard SRAM, 2KX8, 250ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, DIP-24 | |
DS2016-150+ | MAXIM |
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Standard SRAM, 2KX8, 250ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, DIP-24 | |
DS2016R-100 | DALLAS |
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Standard SRAM, 2KX8, 250ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SO-24 | |
DS2016R-100+ | MAXIM |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24 | |
DS2016R-100+ | ROCHESTER |
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2KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24 |