生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.78 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | BATTERY BACK-UP | JESD-30 代码: | R-PDMA-T28 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1730Y-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730Y-150-IND | MAXIM |
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32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP28, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
DS1730Y-200 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730Y-200IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730Y-200IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS | |
DS1730Y-200-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1730YL-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YL-150-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YL-200 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730YL-200-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, |