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DS1730Y-100

更新时间: 2024-11-20 19:57:03
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 332K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, PDMA28,

DS1730Y-100 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78最长访问时间:100 ns
其他特性:BATTERY BACK-UPJESD-30 代码:R-PDMA-T28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DS1730Y-100 数据手册

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