是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | OVER 10 YEARS DATA RETENTION | JESD-30 代码: | R-PDIP-P28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1730Y-150-IND | MAXIM |
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32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP28, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
DS1730Y-200 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730Y-200IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730Y-200IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS | |
DS1730Y-200-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1730YL-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YL-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YL-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730YL-200-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730YLPM-150 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, |