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DS1730YLPM-200

更新时间: 2024-11-18 20:35:23
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 542K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS,

DS1730YLPM-200 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78Is Samacsys:N
最长访问时间:200 ns其他特性:DATA RETENTION = 10 YRS
JESD-30 代码:R-XDFP-U34内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:34字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.004 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J INVERTED
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1730YLPM-200 数据手册

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