是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.86 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | DATA RETENTION = 10 YRS | JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1730Y-200IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730Y-200IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS | |
DS1730Y-200-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1730YL-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YL-150-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YL-200 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730YL-200-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, | |
DS1730YLPM-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YLPM-150IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, | |
DS1730YLPM-150-IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS |