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DS1730Y-200

更新时间: 2024-11-20 20:21:15
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 305K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS,

DS1730Y-200 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
Is Samacsys:N最长访问时间:200 ns
其他特性:DATA RETENTION = 10 YRSJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.004 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

DS1730Y-200 数据手册

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