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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1645EE-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1645EE-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, |
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| DS1645J | ETC |
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Memory Driver |
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| DS1645Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1645Y-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| DS1645Y-120 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1645Y-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1645Y-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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