5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | DATA RETENTION = 10 YRS | JESD-30 代码： | R-XDFP-U34 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1645YLPM-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645YLPM-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1646 | DALLAS |
获取价格 |
Nonvolatile Timekeeping RAM |
|
| DS16460-120 | MAXIM |
获取价格 |
Real Time Clock, 0 Timer(s), CMOS, EDIP MODULE-32 |
|
| DS1646-12 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1646-120 | MAXIM |
获取价格 |
Nonvolatile Timekeeping RAM |
|
| DS1646-120+ | MAXIM |
获取价格 |
Real Time Clock, 0 Timer(s), CMOS, ROHS COMPLIANT, EDIP MODULE-32 |
|
| DS1646-15 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1646J | TI |
获取价格 |
IC,MISC MEMORY,BIPOLAR,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DS1646J/883 | TI |
获取价格 |
IC,MISC MEMORY,BIPOLAR,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
