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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 85 ns | 其他特性： | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1645J | ETC |
获取价格 |
Memory Driver |
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| DS1645Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| DS1645Y-120 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1645Y-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645Y-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645YL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645YL-120 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
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