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DRV8305-Q1

更新时间： 2024-11-06 11:10:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 电池栅极驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
63页 1909K
描述
汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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DRV8305-Q1 数据手册

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DRV8305-Q1  
ZHCSF68D –MAY 2015–REVISED JULY 2019  
DRV8305-Q1 集成三个分流放大器和稳压器的三相汽车智能栅极驱动器  
1 特性  
3 说明  
1
•
具有符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  
DRV8305-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动应用的  
栅极驱动器 IC。该器件提供了三个高精度半桥驱动  
器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 沟道  
MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压  
操作，适用于冷启动条件。该器件最高可耐受 45V 负  
载突降电压。  
•
环境工作温度范围：  
–
–
温度等级 0 (E)：–40°C 至 +150°C  
温度等级 1 (Q)：–40°C 至 +125°C  
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4.4V 至 45V 工作电压范围  
1.25A 和 1A 峰值栅极驱动电流  
智能栅极驱动架构（IDRIVE 和 TDRIVE）  
可编程高侧和低侧压摆率控制  
DRV8305-Q1 器件具备三个双向分流放大器，支持可  
变增益设置和可调节偏移基准，可精确测量低侧电流。  
支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器  
三个集成式分流放大器  
DRV8305-Q1 器件具有一个集成稳压器，可满足微控  
制器 (MCU) 或其他系统的电源要求。稳压器可与 LIN  
物理接口直接相连，支持低功耗系统待机和休眠模式。  
50mA 集成型 LDO（3.3V 和 5V 选项）  
高达 200kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制  
能够进行单 PWM 模式换向  
栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击  
穿。可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，从而防  
止外部 MOSFET 出现过流情况。SPI 提供详细的故障  
报告、诊断和器件配置，例如分流放大器的增益选项、  
独立的 MOSFET 过流检测和栅极驱动转换率控制。  
用于器件设置和故障报告的串行外设接口 (SPI)  
耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装  
保护 功能：  
–
–
–
–
–
–
–
–
故障诊断和 MCU 看门狗  
可编程的死区时间控制  
MOSFET 击穿保护  
MOSFET VDS 过流监视器  
栅极驱动器故障检测  
支持电池反向保护  
器件选项：  
•
•
•
•
DRV8305NQ：1 级，带有电压基准  
DRV83053Q：1 级，带有 3.3V、50mA LDO  
DRV83055Q：1 级，带有 5V、50mA LDO  
DRV8305NE：0 级，带有电压基准  
支持跛行回家模式  
器件信息 (1)  
过热警告和关断  
器件型号  
DRV8305-Q1  
封装  
封装尺寸（标称值）  
HTQFP (48)  
7.00mm × 7.00mm  
2 应用  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
•
•
•
三相 BLDC 电机和 PMSM 电机  
汽车油泵和水泵  
汽车风扇和鼓风机  
简化原理图  
4.4 to 45 V  
DRV8305-Q1  
EN_GATE  
PWM  
Automotive  
3-Phase  
Gate Drive  
Brushless  
Gate Driver  
SPI  
M
Shunt Amps  
nFAULT  
Sense  
LDO  
Shunt Amps  
Protection  
50-mA LDO  
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLVSD12  
 
 
 
 
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