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DRV8300UDIPWR

更新时间： 2024-09-11 11:12:03
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
34页 2949K
描述
100-V max, simple three-phase gate driver with bootstrap diodes and enhanced UVLO protection | PW | 20 | -40 to 125

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DRV8300UDIPWR 数据手册

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DRV8300U  
ZHCSQZ4A –JULY 2022 –REVISED OCTOBER 2022  
DRV8300U：100V 三相BLDC 栅极驱动器  
1 特性  
3 说明  
• 100V 三相半桥栅极驱动器  
DRV8300U 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够  
驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD  
使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成  
合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生  
成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰  
值拉电流和1.5A 的灌电流。  
– 驱动N 沟道MOSFET (NMOS)  
– 栅极驱动器电源(GVDD)：5-20V  
– MOSFET 电源(SHx) 支持高达100V 的电压  
• 集成自举二极管(DRV8300UD 器件)  
• 支持反相和同相INLx 输入  
• 自举栅极驱动架构  
相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅  
极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬  
变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小  
的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要  
求，从而进一步提高效率。通过GVDD 和BST 欠压锁  
定为低侧和高侧提供欠压保护。  
– 750mA 拉电流  
– 1.5A 灌电流  
• 支持由高达15 节串联电池供电的应用  
• 支持标准MOSFET 的更高BSTUV（8V 典型值）  
和GVDDUV（7.6V 典型值）阈值  
• SHx 引脚具有低漏电流（小于55µA）  
• 绝对最大BSTx 电压高达125V  
• SHx 引脚瞬态负压可达-22V  
• 内置跨导保护  
• 针对QFN 封装型号，可通过DT 引脚调节死区时间  
• 针对TSSOP 封装型号，固定插入200ns 死区时间  
• 支持3.3V 和5V 逻辑输入（绝对最大值为20V）  
• 4ns 典型传播延迟匹配  
器件信息(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
封装  
TSSOP (20)  
TSSOP (20)  
VQFN (24)  
DRV8300UDPW  
DRV8300UDIPW  
DRV8300UDRGE  
6.40mm × 4.40mm  
6.40mm × 4.40mm  
4.00mm × 4.00mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
• 紧凑型QFN 和TSSOP 封装  
• 具有电源块的高效系统设计  
• 集成保护特性  
PVDD  
GVDD  
DBx  
BSTA, BSTB, BSTC  
GVDD  
– BST 欠压锁定(BSTUV)  
INHA  
INHB  
INHC  
GHA, GHB, GHC  
SHA, SHB, SHC  
– GVDD 欠压(GVDDUV)  
MCU  
2 应用  
DRV8300D  
INLA  
INLB  
INLC  
GLA, GLB. GLC  
• 电动自行车、电动踏板车和电动汽车  
• 风扇、泵和伺服驱动器  
GND  
Repeated for 3  
phases  
• 无刷直流(BLDC) 电机模块和PMSM  
• 无线园艺和电动工具、割草机  
• 无线真空吸尘器  
• 无人机、机器人和遥控玩具  
• 工业和物流机器人  
DRV8300UD 的简化原理图  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLVSGY3  
 
 
 
 
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