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DRAF124E PDF预览

DRAF124E

更新时间： 2024-11-25 21:15:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 418K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-B, 3 PIN

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DRAF124E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.74
其他特性：BULIT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-XBCC-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRAF124E 数据手册

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DRAF124E  
Total pages  
page  
Tentative  
DRAF124E  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Marking Symbol : LE  
Package Code : ML3-N4-B  
Internal Connection  
Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C  
R1  
C
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
-50  
-50  
Unit  
V
V
B
-100  
100  
150  
mA  
mW  
°C  
R2  
Total power dissipation  
PT  
Junction temperature  
Tj  
E
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
kΩ  
kΩ  
Resistance R1 22  
R2 22  
value  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Pin name  
Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C±3 °C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
-50  
-50  
Unit  
V
V
μA  
μA  
mA  
-
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO IC = -10 μA, IE = 0  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -50 V, IE = 0  
VCE = -50 V, IB = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
-0.1  
-0.5  
-0.2  
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
60  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
-0.25  
V
Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA  
Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA  
-2.6  
Input voltage  
V
-0.8  
kΩ  
-
Input resistance  
Resistance ratio  
R1  
R1/R2  
-30% 22 +30%  
0.8 1.0 1.2  
Note: Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring  
methods for transistors.  
Packing  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 10 000 pcs / reel  
2010.2.25  
Prepared  
2010.7.12  
Revised  
Semiconductor Company, Panasonic Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRAF124T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-
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