Datasheet > DRAF124T

DRAF124T

更新时间： 2024-11-21 20:59:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	438K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-B, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DRAF124T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.74
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DRAF124T 数据手册

DRAF124T

Total pages

page

Tentative

DRAF124T

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Marking Symbol : ＬH

Package Code : ML3-N4-B

Internal Connection

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Symbol

VCBO

VCEO

Tstg

Rating

-50

Unit

-100

100

150

°C

Storage temperature

-55 to +150

°C

Resistance

kΩ

value

1. Base

2. Emitter

3. Collector

Pin name

Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C±3 °C

Parameter

Symbol

Conditions

Min Typ Max

-50

Unit

μA

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

VCBO IC = -10 μA, IE = 0

VCEO IC = -2 mA, IB = 0

ICBO

ICEO

IEBO

hFE

VCB = -50 V, IE = 0

VCE = -50 V, IB = 0

VEB = -6 V, IC = 0

-0.1

-0.5

-0.01

460

-0.25

VCE = -10 V, IC = -5 mA

160

-1.8

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA

Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA

Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA

Input voltage

-0.4

kΩ

Input resistance

-30% 22 +30%

Note: Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring

methods for transistors.

Packing

Embossed type (Thermo-compression sealing) : 10 000 pcs / reel

2010.2.25

Prepared

2010.7.12

Revised

Semiconductor Company, Panasonic Corporation

12 3

中文翻译

下载PDF

与DRAF124T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DRAF124T0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRAF124X	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-
DRAF143E	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-
DRAF143E0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRAF143T0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRAF143X	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-
DRAF143X0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRAF143Z0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DragonBoard 410c	QUALCOMM	获取价格	The DragonBoard? 410c is a development board based on the 64-bit capable Qualcomm? Snapdra
DRAM6.8	ETC	获取价格	Analog IC

与DRAF124T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DRAF124T

DRAF124T 技术参数

DRAF124T 数据手册

与DRAF124T相关器件

与DRAF124T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DRAF124T

DRAF124T 技术参数

DRAF124T 数据手册

与DRAF124T相关器件

与DRAF124T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？