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DP8422V-33

更新时间: 2024-01-29 09:07:41
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 动态存储器外围集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 2621K
描述
4M X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

DP8422V-33 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCJ, LDCC84,1.2SQReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59地址总线宽度:22
边界扫描:NO最大时钟频率:33.33 MHz
外部数据总线宽度:JESD-30 代码:S-PQCC-J84
JESD-609代码:e0长度:29.3116 mm
低功率模式:YES内存组织:4M X 1
区块数量:4端子数量:84
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC84,1.2SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:Memory Controllers
最大压摆率:150 mA最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.5 V标称供电电压:5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:29.3116 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAM
Base Number Matches:1

DP8422V-33 数据手册

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