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DP8408N/B+

更新时间: 2024-02-27 21:38:55
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其他 - ETC 光电二极管动态存储器控制器
页数 文件大小 规格书
18页 698K
描述
DRAM Controller

DP8408N/B+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
JESD-30 代码:R-PDIP-T48JESD-609代码:e0
端子数量:48最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP48,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V子类别:Memory Controllers
最大压摆率:285 mA标称供电电压:5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DP8408N/B+ 数据手册

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