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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.69 |
| 地址总线宽度： | 18 | 边界扫描： | NO |
| 外部数据总线宽度： | JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 | |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 61.38 mm |
| 低功率模式： | NO | 内存组织： | 256K X 1 |
| 区块数量： | 4 | 端子数量： | 48 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Memory Controllers | 最大压摆率： | 325 mA |
| 最大供电电压： | 5.25 V | 最小供电电压： | 4.75 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DP8409AN/A+ | ETC | DRAM Controller |
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| DP8409AN/B+ | ETC | DRAM Controller |
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| DP8409AN-2 | ROCHESTER | 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| DP8409AN-2/A+ | ETC | DRAM Controller |
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| DP8409AN-2/B+ | ETC | DRAM Controller |
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| DP8409AN-3 | ETC | DRAM Controller |
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