是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 22 weeks | 风险等级: | 1.7 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A |
最大漏极电流 (ID): | 90 A | 最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 138 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMT4005SCT | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4008LFDF | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4008LFV | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4008LSS | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4011LFG | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4011LFG-7 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, | |
DMT4011LSS | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4014LDV | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4015LDV | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4031LFDF | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |