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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMP3160L-7
DMP3160L-7 PDF预览

DMP3160L-7

更新时间： 2024-01-30 09:32:49
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP3160L-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.87
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：256917Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT23 (1)Samacsys Released Date：2018-11-11 11:52:57
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD, HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A最大漏极电流 (ID)：2.7 A
最大漏源导通电阻：0.122 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.08 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP3160L-7 数据手册

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DMP3160L  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance:  
•
•
Case: SOT-23  
RDS(ON) < 122mΩ @ VGS = -10V, ID = -2.7A  
RDS(ON) < 190mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -2.0A  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green"  
Device (Notes 2, 4 and 6)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Drain  
SOT-23  
D
Gate  
S
G
Source  
EQUIVALENT CIRCUIT  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
-30  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
±20  
VGSS  
T
T
A = 25°C  
A = 70°C  
Steady  
State  
-2.7  
-2  
A
A
Drain Current (Note 1) VGS = -10V  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
ID  
-8  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Value  
1.08  
Units  
W
115  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
-30  
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
-800  
VGS = 0V, ID = -250μA  
VDS = -30V, VGS = 0V  
VGS = ±12V, VDS = 0V  
VGS = ±15V, VDS = 0V  
nA  
⎯
±80  
±800  
Gate-Source Leakage  
nA  
IGSS  
⎯
⎯
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
-1.3  
-1.8  
-2.1  
V
VGS(th)  
VDS = VGS, ID = -250μA  
VGS = -10V, ID = -2.7A  
VGS = -4.5V, ID = -2.0A  
VDS = -5V, ID = -2.7A  
VGS = 0V, IS = -2.7A  
97  
165  
122  
190  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
⎯
mΩ  
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage (Note 5)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
3.6  
S
V
|Yfs|  
VSD  
⎯
⎯
⎯
-1.26  
⎯
227  
64  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
DS = -10V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
36  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB. t ≤5 sec.  
2. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.  
3. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
6. Product manufactured with Green Molding Compound and does not contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
1 of 4  
www.diodes.com  
June 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP3160L  
Document number: DS31268 Rev. 5 - 2  
1234

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