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DMP3120L-7

更新时间： 2024-01-23 13:35:32
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美台 - DIODES /
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5页 106K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP3120L-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

DMP3120L-7 数据手册

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DMP3120L  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance:  
RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = -4.5V  
DS(ON) < 240mΩ @ VGS = -2.5V  
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
R
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
•
Drain  
SOT-23  
D
Gate  
S
G
Source  
Equivalent Circuit  
Top View  
Top View  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
-30  
Unit  
V
Gate-Source Voltage  
V
VGSS  
±12  
Drain Current (Note 1)  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Pulsed  
-2.8  
-2.2  
A
ID  
Drain Current (Note 1)  
-9  
A
A
IDM  
IS  
Body-Diode Continuous Current (Note 1)  
-2.0  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
1.4  
Unit  
W
PD  
90  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
T
J, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB. t ≤5 sec.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 5  
www.diodes.com  
June 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP3120L  
Document number: DS31505 Rev. 3 - 2  
12345

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