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DMP3025LK3-13

更新时间: 2024-02-06 09:15:28
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页 673K
描述
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMP3025LK3-13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-252AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):16.1 A
最大漏极电流 (ID):10.6 A最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):10 W最大脉冲漏极电流 (IDM):41.9 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DMP3025LK3-13 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
DMP3025LK3  
Package Outline Dimensions  
DIM  
Inches  
Millimeters  
Min  
DIM  
Inches  
Millimeters  
Min Max  
Min  
0.086  
-
Max  
0.094  
0.005  
0.035  
0.045  
0.215  
0.024  
0.023  
0.245  
-
Max  
2.39  
0.127  
0.89  
1.14  
5.46  
0.61  
0.584  
6.22  
-
Min  
Max  
A
A1  
b
2.18  
-
e
H
0.090 BSC  
2.29 BSC  
0.370  
0.055  
0.410  
0.070  
9.40  
1.40  
10.41  
1.78  
0.020  
0.030  
0.205  
0.018  
0.018  
0.213  
0.205  
0.250  
0.170  
0.508  
0.762  
5.21  
0.457  
0.457  
5.41  
5.21  
6.35  
4.32  
L
b2  
b3  
c
L1  
L2  
L3  
L4  
L5  
θ1°  
θ°  
-
0.108 REF  
0.020 BSC  
0.035  
2.74 REF  
0.508 BSC  
0.89  
0.065  
0.040  
0.060  
10°  
1.65  
1.016  
1.52  
10°  
c2  
D
0.025  
0.045  
0°  
0.635  
1.14  
0°  
D1  
E
0.265  
-
6.73  
-
0°  
15°  
0°  
15°  
E1  
-
-
-
-
7 of 8  
www.diodes.com  
July 2009  
© Diodes Incorporated  
DMP3025LK3  
Document Revision: 1  

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