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DMP3025LK3-13

更新时间: 2024-02-22 05:58:49
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 673K
描述
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMP3025LK3-13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-252AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):16.1 A
最大漏极电流 (ID):10.6 A最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):10 W最大脉冲漏极电流 (IDM):41.9 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DMP3025LK3-13 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
DMP3025LK3  
Typical Characteristics - continued  
2500  
2000  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
VGS = 0V  
f = 1MHz  
ID = 7.1A  
CISS  
1500  
COSS  
1000  
CRSS  
VDS = 15V  
500  
0
1
10  
0
5
10  
15  
25  
30  
35  
Q - Charge 2(n0C)  
-VDS - Drain - Source Voltage (V)  
Capacitance v Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage v Gate Charge  
Test Circuits  
Current  
regulator  
QG  
50k  
Same as  
D.U.T  
0.2F  
12V  
QGS  
QGD  
VG  
VDS  
IG  
D.U.T  
ID  
VGS  
Charge  
Basic gate charge waveform  
Gate charge test circuit  
VDS  
90%  
RD  
VGS  
VDS  
RG  
VDD  
10%  
VGS  
Pulse width Ͻ 1S  
Duty factor 0.1%  
tr  
td(off)  
tr  
td(on)  
t(on)  
t(on)  
Switching time waveforms  
Switching time test circuit  
6 of 8  
www.diodes.com  
July 2009  
© Diodes Incorporated  
DMP3025LK3  
Document Revision: 1  

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