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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMP3025LK3-13
DMP3025LK3-13 PDF预览

DMP3025LK3-13

更新时间： 2024-01-19 05:55:22
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 673K
描述
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP3025LK3-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16.1 A
最大漏极电流 (ID)：10.6 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：10 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：41.9 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP3025LK3-13 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
DMP3025LK3  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source voltage  
Gate-Source voltage  
(Note 3)  
Symbol  
VDSS  
Value  
-30  
Unit  
V
V
VGS  
±20  
-16.1  
-12.9  
-10.6  
-41.9  
-12.6  
-41.9  
Continuous Drain current  
A
V
GS = 10V  
TA=70°C (Note 3)  
(Note 2)  
ID  
Pulsed Drain current  
(Note 4)  
A
A
A
V
GS= 10V  
IDM  
IS  
Continuous Source current (Body diode)  
Pulsed Source current (Body diode)  
(Note 3)  
(Note 4)  
ISM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
4.3  
Unit  
(Note 2)  
(Note 3)  
(Note 5)  
34.5  
10.0  
80.0  
2.15  
17.2  
29.0  
12.5  
58.0  
W
mW/°C  
Power dissipation  
Linear derating factor  
PD  
(Note 2)  
(Note 3)  
(Note 5)  
(Note 6)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Rθ  
JA  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
Operating and storage temperature range  
1.02  
Rθ  
JL  
-55 to 150  
TJ, TSTG  
Notes:  
2. For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions; the device is  
measured when operating in a steady-state condition.  
3. Same as note 2, except the device is measured at t ≤ 10 sec.  
4. Same as note 2, except the device is pulsed with D = 0.02 and pulse width 300 µs. The pulse current is limited by the maximum junction temperature.  
5. For a device surface mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions; the device is  
measured when operating in a steady-state condition.  
6. Thermal resistance from junction to solder-point (at the end of the drain lead).  
2 of 8  
www.diodes.com  
July 2009  
© Diodes Incorporated  
DMP3025LK3  
Document Revision: 1  
12345678

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