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DMN32D2LV-7 PDF预览

DMN32D2LV-7

更新时间： 2024-11-23 09:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 178K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN32D2LV-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.77配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A
最大漏极电流 (ID)：0.4 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

DMN32D2LV-7 数据手册

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DMN32D2LV  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
ESD Protected Gate  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 3)  
•
•
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
SOT-563  
D2  
G1  
S1  
S2  
G2  
D1  
ESD PROTECTED  
TOP VIEW  
Schematic and Transistor Diagram  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Value  
30  
Unit  
V
Gate-Source Voltage  
V
±10  
400  
Drain Current (Note 1)  
mA  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Total Power Dissipation (Note 1)  
400  
313  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
JA  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
30  
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
1
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = 30V, VGS = 0V  
VGS = ±10V, VDS = 0V  
@ TC = 25°C  
⎯
μA  
μA  
nA  
±10  
±500  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
⎯
⎯
V
GS = ±5V, VDS = 0V  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Gate Threshold Voltage  
0.6  
1.2  
V
VGS(th)  
⎯
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 1.8V, ID = 20mA  
VGS = 2.5V, ID = 20mA  
VGS = 4.0V, ID = 100mA  
VDS =10V, ID = 0.1A  
VGS = 0V, IS = 115mA  
⎯
⎯
⎯
100  
0.5  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
2.2  
1.5  
1.2  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
Ω
Forward Transconductance  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
mS  
V
|Yfs|  
VSD  
⎯
1.4  
39  
10  
3.6  
11  
51  
pF  
pF  
pF  
nS  
nS  
Ciss  
Coss  
Crss  
ton  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
DS = 3V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
V
V
DD = 5V, ID = 10 mA,  
GS = 5V  
Switching Time  
toff  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 5  
www.diodes.com  
April 2010  
© Diodes Incorporated  
DMN32D2LV  
Document number: DS31121 Rev. 6 - 2  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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