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DMN32D4SDW-13

更新时间： 2024-09-24 19:43:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 340K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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DMN32D4SDW-13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.7配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.65 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN32D4SDW-13 数据手册

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DMN32D4SDW  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features and Benefits  
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
ID max  
V(BR)DSS  
RDS(ON) max  
TA = +25°C  
Low Input Capacitance  
0.65A  
0.52A  
0.4Ω @ VGS = 10V  
0.7Ω @ VGS = 4.5V  
Fast Switching Speed  
30V  
ESD Protected Gate  
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Description  
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance  
(RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it  
ideal for high-efficiency power management applications.  
Mechanical Data  
•
•
Case: SOT363  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections Indicator: See Diagram  
Terminals: Finish Matte Tin Annealed over Alloy42 Leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208 e3  
Weight: 0.006 grams (Approximate)  
Applications  
•
•
•
•
•
•
•
Motor Control  
Power Management Functions  
DC-DC Converters  
Backlighting  
•
D1  
D2  
D2  
G1  
S1  
SOT363  
G1  
G2  
Gate Protection  
Diode  
Gate Protection  
Diode  
S2  
G2  
D1  
S2  
S1  
ESD PROTECTED  
Top View  
Q2 N-CHANNEAL  
Q1 N-CHANNEAL  
Top View  
Pin out  
Ordering Information (Note 4)  
Part Number  
DMN32D4SDW-7  
DMN32D4SDW-13  
Case  
SOT363  
SOT363  
Packaging  
3,000K/Tape & Reel  
10,000K/Tape & Reel  
Notes:  
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.  
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"  
and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. For packaging details, go to our website at http”//www.diodes.com/products/packages.html  
Marking Information  
SOT363  
D2  
G1  
S1  
N34 = Product Type Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y or Y= Year (ex: B = 2014)  
M = Month (ex: 9 = September)  
N34 YM  
M Y 4 3 N  
S2  
G2  
D1  
Date Code Key  
Year  
Code  
2014  
B
2015  
C
2016  
D
2017  
E
2018  
F
2019  
G
2020  
H
Month  
Code  
Jan  
1
Feb  
2
Mar  
3
Apr  
4
May  
5
Jun  
6
Jul  
7
Aug  
8
Sep  
9
Oct  
O
Nov  
N
Dec  
D
1 of 6  
www.diodes.com  
February 2015  
© Diodes Incorporated  
DMN32D4SDW  
Document number: DS36023 Rev. 2 - 2  
123456

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DMN32D4SDW-13 替代型号

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DMN32D4SDW-7 DIODES

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与DMN32D4SDW-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMN32D4SDW-7 DIODES

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 		Low On-Resistance
DMN3300U DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN3300U-7 DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN3300U-7-F TYSEMI

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 		Product specification
DMN3300UQ DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN33D8L DIODES

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 		Low On-Resistance
DMN33D8L_15 DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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