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DMN1003UCA6

更新时间: 2023-12-06 20:11:35
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美台 - DIODES /
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7页 488K
描述
12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN1003UCA6 数据手册

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DMN1003UCA6  
1
D=0.5  
D=0.3  
D=0.9  
D=0.7  
0.1  
D=0.1  
D=0.05  
D=0.02  
D=0.01  
0.01  
RθJA(t) = r(t) * RθJA  
RθJA= 117/W  
Duty Cycle, D = t1 / t2  
D=0.005  
D=Single Pulse  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
t1, PULSE DURATION TIME (sec)  
Figure 13. Transient Thermal Resistance  
5 of 7  
www.diodes.com  
December 2019  
© Diodes Incorporated  
DMN1003UCA6  
Document number: DS39389 Rev. 6 - 2  

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