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DME20501

更新时间： 2024-11-09 21:16:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	694K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI6-G4-B, 6 PIN

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DME20501 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

DME20501 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DME20501

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)

For general ampliﬁcation

ꢀPackage

 Features

ꢀCode

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini6-G4-B

ꢀPin Name

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr2)

3: Base (Tr2)

4: Collector (Tr2)

5: Emitter (Tr2)

6: Collector (Tr1)

ꢀBasic Part Number

DSA2001 + DSC2001 (Individual)

ꢀMarking Symbol: B1

ꢀInternal Connection

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

(C1) (E2) (C2)

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr1 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–60

Unit

Tr2

Tr1

–50

(E1) (B1) (B2)

–7

–100

–200

Peak collector current

I_CP

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr2 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

100

°C

Peak collector current

I_CP

200

Total power dissipation

P_T

300

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

stg

–55 to +150

Publication date: December 2010

Ver. CED

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DME205010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
DME2050-252	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, S Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 252, 3 PIN
DME2050-504-012	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, S Band, Silicon, BEAM LEAD PACKAGE-3
DME20B010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
DME20C01	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
DME2127-000	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, S Band, 6dB Noise Figure, Silicon, ROHS COMPLIANT, CASE 491-0
DME2127-220	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, S Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CASE 220, 2
DME2127-250	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, S Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 250, 2 PIN
DME2127-491-011	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, S Band, Silicon, BEAM LEAD PACKAGE-2
DME2174-000	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 6.5dB Noise Figure, Silicon,

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