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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMB53D0UV-7
DMB53D0UV-7 PDF预览

DMB53D0UV-7

更新时间： 2024-11-05 09:54:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 133K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR

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DMB53D0UV-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：867556Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：SOT563-Samacsys Released Date：2019-07-28 05:38:41
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：200最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.16 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

DMB53D0UV-7 数据手册

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DMB53D0UV  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package  
Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
•
•
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead frame.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 5  
Ordering Information: See Page 5  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected MOSFET Gate up to 2kV  
"Green" Device (Note 3)  
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
SOT-563  
D2  
B
E
Q1  
Q2  
G2  
S2  
C
TOP VIEW  
TOP VIEW  
BOTTOM VIEW  
ESD protected gate up to 2kV  
Internal Schematic  
Maximum Ratings – MOSFET, Q1 @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Value  
50  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
V
±12  
160  
560  
Continuous  
mA  
mA  
Pulsed Drain Current (Note 1)  
IDM  
Maximum Ratings - NPN Transistor, Q2 @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
50  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
45  
V
6.0  
V
100  
mA  
Thermal Characteristics, Total Device @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Value  
250  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 7  
www.diodes.com  
December 2009  
© Diodes Incorporated  
DMB53D0UV  
Document number: DS31651 Rev. 6 - 2  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMB54D0UDW DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR
DMB54D0UDW-7 DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR
DMB54D0UV DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR
DMB54D0UV-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element
DMB54D0UV-7 DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR
DMB5880-000 SKYWORKS

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 		Mixer Diode, 465ohm Z(V) Max, 7.5dB Noise Figure, Silicon
DMB5880-002 SKYWORKS

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DMB6411-000 SKYWORKS

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