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DM74S189AN

更新时间: 2024-11-29 20:31:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 212K
描述
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, PDIP16, PLASTIC, DIP-16, Static RAM

DM74S189AN 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0长度:19.305 mm
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

DM74S189AN 数据手册

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