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DM74S189N

更新时间: 2024-11-29 20:31:03
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 212K
描述
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP16, PLASTIC, DIP-16, Static RAM

DM74S189N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
长度:19.305 mm内存密度:64 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16X4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

DM74S189N 数据手册

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