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DM74S200N

更新时间: 2024-11-29 20:51:15
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
IC,SRAM,256X1,TTL,DIP,16PIN,PLASTIC

DM74S200N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.87最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DM74S200N 数据手册

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