5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP, TSOP44,.36,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP44,.36,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2212J-10 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212J1-12 | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 |
|
| DM2212J1-12I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 |
|
| DM2212J1-12L | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 |
|
| DM2212J1-15 | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
|
| DM2212J1-15I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
|
| DM2212J1-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212J-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212J-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212J-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
