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DM2200J1-12I

更新时间： 2024-01-12 05:22:37
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 150K
描述
Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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DM2200J1-12I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ28,.34
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE/STATIC COLUMN最长访问时间：30 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 2K X 1 SRAMI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：CACHE DRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.225 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

DM2200J1-12I 数据手册

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AC Test Load and Waveforms  
V Timing Reference Point at V and V  
IN IL IH  
Load Circuit  
Input Waveforms  
+ 5.0 (+3.3 Volt Option)  
V
V
IH  
IH  
(5.0 volt)  
R
= 828Ω  
1
(3.3 Volt Option)  
R
= 1178Ω  
1
Output  
V
V
IL  
IL  
C = 50pf  
L
(5.0 volt)  
R
= 295Ω  
GND  
2
R
= 868Ω  
(3.3 Volt Option)  
≤5ns  
≤5ns  
2
Absolute Maximum Ratings  
(Beyond Which Permanent Damage Could Result)  
Capacitance  
Description  
Max  
6pf, 7pf(1)  
Pins  
3.3V Option  
Rating  
Description  
Ratings  
- 1 ~ 7v  
- 1 ~ 7v  
- 1 ~ 7v  
A
Input Capacitance  
Input Capacitance  
Input Capacitance  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
0-9  
Input Voltage (V )  
- .5 ~ 4.6v  
- .5 ~ 4.6v  
- .5 ~ 4.6v  
IN  
7pf, 10pf(1) A , /CAL, /RE, W/R, /WE, /F, /S  
10  
Output Voltage (VOUT  
)
/G  
D
2pf  
6pf  
6pf  
Power Supply Voltage (V )  
CC  
Ambient Operating Temperature (TA)  
Storage Temperature (TS)  
-40 ~ 85°C -40 ~ 85°C  
-55 ~ 150°C -55 ~ 150°C  
Q
(1) +5 V, DM2200-15 only.  
Static Discharge Voltage  
(Per MIL-STD-883 Method 3015)  
Class 1  
20mA  
Class 1  
50mA  
Short Circuit O/P Current (IOUT  
)
Electrical Characteristics  
T = 0 to 70°C (Commercial); -40 to 85°C (Industrial)  
A
3.3V Option  
Symbol  
Parameters  
Max  
Min  
Test Conditions  
Max  
Min  
V
Supply Voltage  
3.0V  
3.6V  
4.75V  
5.25V  
Vcc+0.5V  
0.8V  
All Voltages Referenced to V  
SS  
CC  
V
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Output High Level  
Output Low Level  
2.0V  
Vss-0.3V  
2.4V  
V +0.3V 2.4V  
IH  
CC  
V
0.8V Vss-0.5V  
2.4V  
IL  
VOH  
VOL  
Ii(L)  
IOUT = - 5mA (-2ma For 3.3 Volt Option)  
IOUT = 4.2mA (2ma For 3.3 Volt Option)  
0.4V  
0.4V  
10µA  
10µA  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
-5µA  
-5µA  
5µA  
5µA  
-10µA  
-10µA  
OV ≤ V ≤ Vcc + 0.5 Volts  
IN  
IO(L)  
O ≤ VI/O ≤ Vcc  
Symbol  
Operating Current  
Random Read  
33MHz Typ (1)  
-15 Max  
-12 Max  
Test Condition  
Notes  
ICC1  
110mA  
65mA  
55mA  
135mA  
50mA  
1mA  
225mA  
145mA  
110mA  
190mA  
135mA  
1mA  
180mA /RE, /CAL, and Addresses Cycling: tC = tC Minimum  
115mA /CAL and Addresses Cycling: tPC = tPC Minimum  
2, 3, 5  
ICC2  
ICC3  
ICC4  
ICC5  
ICC6  
ICC7  
Fast Page Mode Read  
Static Column Read  
Random Write  
2, 4, 5  
2, 4, 5  
2, 3  
90mA  
Addresses Cycling: tSC = tSC Minimum  
/RE, /CAL, /WE, and Addresses Cycling: tC = tC Minimum  
150mA  
Fast Page Mode Write  
105mA /CAL, /WE, and Addresses Cycling: tPC = tPC Minimum  
2, 4  
Standby  
1mA  
All Control Inputs Stable ≥ VCC - 0.2V, Output Driven  
Self-Refresh  
Option (-L)  
/S, /F, W/R, /WE, and A0-10 at ≥ VCC - 0.2V  
/RE and /CAL at ≤ VSS + 0.2V, I/O Open  
200 µA  
30mA  
200 µA  
—
200 µA  
—
ICCT  
1
Average Typical  
See “Estimating EDRAM Operating Power” Application Note  
Operating Current  
(1) “33MHz Typ” refers to worst case I expected in a system operating with a 33MHz memory bus. See power applications note for further details. This parameter is not 100% tested  
CC  
or guaranteed. (2) I is dependent on cycle rates and is measured with CMOS levels and the outputs open. (3) I is measured with a maximum of one address change while  
CC  
CC  
/RE = V . (4) I is measured with a maximum of one address change while /CAL = V . (5) /G is high.  
IL  
CC  
IH  
1-5  
12345678...18

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与DM2200J1-12I相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DM2200J1-12L RAMTRON Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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DM2200J1-15 RAMTRON Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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DM2200J1-15I RAMTRON Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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DM2200J1-15L RAMTRON Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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DM2200J-12 RAMTRON 暂无描述

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DM2200J-12I RAMTRON Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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