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DM2200T-15I

更新时间： 2024-02-04 06:32:06

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DM2200T-15I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP, TSOP44,.36,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE/STATIC COLUMN
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; 2K X 1 SRAM
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	CACHE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.36,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DM2200T-15L	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2202J-10	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2202J1-12	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2202J1-12I	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2202J1-12L	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2202J1-15	CYPRESS	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28,
DM2202J1-15I	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 35ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
DM2202J1-15L	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28
DM2202J-12	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28
DM2202J-12I	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28