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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2202J1-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2202J1-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2202J1-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2202J1-15 | CYPRESS |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28, |
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| DM2202J1-15I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 35ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 |
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| DM2202J1-15L | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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| DM2202J-12 | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
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| DM2202J-12I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28 |
|
| DM2202J-12L | CYPRESS |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28, |
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| DM2202J-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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