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DM2203T-20

更新时间： 2024-01-26 14:25:45

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DM2203T-20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP, TSOP44,.36,32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
访问模式：	FAST EDO/STATIC COLUMN	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP44,.36,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DM2203TME-15	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2203TME-20	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2212J-10	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2212J1-12	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
DM2212J1-12I	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
DM2212J1-12L	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
DM2212J1-15	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28
DM2212J1-15I	RAMTRON	获取价格	Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28
DM2212J1-15L	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)
DM2212J-12	ETC	获取价格	Enhanced DRAM (EDRAM)