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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DM2200T1-12 | RAMTRON | Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11 |
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| DM2200T1-12I | RAMTRON | Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11 |
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| DM2200T1-12L | RAMTRON | Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11 |
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| DM2200T1-15 | RAMTRON | Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11 |
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| DM2200T1-15I | RAMTRON | Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11 |
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| DM2200T1-15L | RAMTRON | Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11 |
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