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DM2200J-12I PDF预览

DM2200J-12I

更新时间： 2024-01-18 13:19:15
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 150K
描述
Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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DM2200J-12I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ28,.34
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE/STATIC COLUMN最长访问时间：30 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 2K X 1 SRAMI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：CACHE DRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.225 mA最大供电电压 (Vsup)：5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

DM2200J-12I 数据手册

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Switching Characteristics  
V = 5V ± 5% (+5 Volt Option), V = 3.3V ± 0.3V (+3.3 Volt Option), C = 50pf, T = 0 to 70°C (Commercial) ,T = -40 to 85°C (Industrial)  
CC  
CC  
L
A
A
-12  
-15  
Symbol  
Description  
Units  
Min  
Max  
12  
8
Min  
Max  
15  
8
(1)  
AC  
t
Column Address Access Time for Addresses A  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
0-8  
(1)  
t
Column Address Access Time for Addresses A and A  
AC1  
9
10  
t
Column Address Valid to /CAL Inactive (Write Cycle)  
12  
5
15  
5
ACH  
AQX  
AQX1  
ASC  
ASR  
C
t
Column Address Change to Output Data Invalid for Addresses A  
0-8  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Column Address Change to Output Data Invalid for Addresses A and A  
1
5
1
5
9
10  
Column Address Setup Time  
Row Address Setup Time  
Row Enable Cycle Time  
5
5
65  
25  
6
55  
20  
5
Row Enable Cycle Time, Cache Hit (Row=LRR), Read Cycle Only  
Column Address Latch Active Time  
C1  
CAE  
CAH  
CH  
Column Address Hold Time  
0
0
5
5
Column Address Latch High Time (Latch Transparent)  
/CAL Inactive Lead Time to /RE Inactive (Write Cycles Only)  
-2  
-2  
CHR  
t
t
t
0
0
Column Address Latch High to Write Enable Low (Multiple Writes)  
Column Address Latch High to Data Valid  
ns  
ns  
ns  
CHW  
CQV  
CQX  
15  
17  
Column Address Latch Inactive to Data Invalid for Addresses A  
0-8  
5
5
t
t
t
t
Column Address Latch Inactive to Data Invalid for Addresses A and A  
1
5
5
0
1
5
5
0
ns  
ns  
ns  
ns  
CQX1  
CRP  
CWL  
DH  
9
10  
Column Address Latch Setup Time to Row Enable  
/WE Low to /CAL Inactive  
Data Input Hold Time  
t
t
5
5
Data Input Setup Time  
ns  
ns  
DS  
(1)  
Output Enable Access Time  
5
5
5
5
5
5
GQV  
(2,3)  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Output Enable to Output Drive Time  
0
0
0
0
ns  
ns  
GQX  
(4,5)  
Output Turn-Off Delay From Output Disabled (/G↑)  
/F and W/R Mode Select Hold Time  
GQZ  
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
MH  
/F and W/R Mode Select Setup Time  
5
5
MSU  
NRH  
NRS  
PC  
/CAL, /G, /WE, and W/R Hold Time For /RE-Only Refresh  
/CAL, /G, /WE, and W/R Setup Time For /RE-Only Refresh,  
0
0
5
5
Column Address Latch Cycle Time  
12  
15  
(1)  
Row Enable Access Time, On a Cache Miss  
Row Enable Access Time, On a Cache Hit (Limit Becomes t  
30  
15  
35  
17  
ns  
ns  
RAC  
(1)  
)
RAC1  
AC  
(1,6)  
t
t
t
30  
35  
ns  
ns  
ns  
Row Enable Access Time for a Cache Write Hit  
Row Address Hold Time  
RAC2  
RAH  
RE  
1
1.5  
35  
Row Enable Active Time  
30  
100000  
100000  
1-6  
1...3456789...18

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与DM2200J-12I相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DM2200J-12L RAMTRON Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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