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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 800 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X12 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 12 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 6940 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1700 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 620 ns | VCEsat-Max： | 2.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DIM800DDM12 | DYNEX |
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Dual Switch IGBT Module Preliminary Information |
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| DIM800DDM12-A | ETC |
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IGBT Modules - Dual Switch |
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| DIM800DDM12-A000 | DYNEX |
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Dual Switch IGBT Module |
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| DIM800DDM17-A | ETC |
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IGBT Modules - Dual Switch |
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| DIM800DDM17-A000 | DYNEX |
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Dual Switch IGBT Module |
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| DIM800DDM17-A000_09 | DYNEX |
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Dual Switch IGBT Module |
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| DIM800DDM17-E | ETC |
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IGBT Modules - Dual Switch |
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| DIM800DDM17-E000 | DYNEX |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D, 10 P |
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| DIM800DDS12-A000 | DYNEX |
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Dual Switch IGBT Module |
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| DIM800ECM33-F000 | DYNEX |
获取价格 |
IGBT Chopper Module |
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