是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 |
针数: | 9 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 800 A |
集电极-发射极最大电压: | 3300 V | 配置: | COMMON GATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X9 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 9 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 10400 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 2440 ns |
标称接通时间 (ton): | 1515 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DIM800ECM33-F000_12 | DYNEX |
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IGBT Chopper Module | |
DIM800FSM12-A | ETC |
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IGBT Modules - Single Switch | |
DIM800FSM12-A000 | DYNEX |
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Single Switch IGBT Module | |
DIM800FSM17 | DYNEX |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | |
DIM800FSM17-A | ETC |
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IGBT Modules - Single Switch | |
DIM800FSM17-A000 | DYNEX |
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Single Switch IGBT Module Preliminary Information | |
DIM800FSM17-A000_10 | DYNEX |
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Single Switch IGBT Module | |
DIM800FSS12-A000 | DYNEX |
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Single Switch IGBT Module | |
DIM800FSS17-A000 | DYNEX |
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Single Switch IGBT Module | |
DIM800JSM33-A | ETC |
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IGBT Modules - Single Switch |